以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代寬禁帶半導體材料，在5G、電動(dòng)/混動(dòng)汽車(chē)、照明、可再生能源、服務(wù)器和工業(yè)電源等領(lǐng)域獲得廣泛應用，而這些應用領(lǐng)域對器件的性能和可靠性有著(zhù)極高的要求。本次直播將重點(diǎn)介紹如何確保向用戶(hù)交付的SiC和GaN器件既可靠又有出色的電性能。

主辦

中國電子信息博覽會(huì )（CITE2020）

協(xié)辦

上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì )

《中國電子商情》雜志社

合作媒體

TechSugar、科鈦網(wǎng)、半導體商城

解讀基于第三代寬禁帶半導體器件的電源測試設計方案

第三代寬禁帶半導體器件SiC& GaN為電源設計行業(yè)的發(fā)展帶來(lái)了重大變革。GaN 技術(shù)將廣泛應用于RF功率放大器，SiC則在電機、驅動(dòng)器和逆變器等較大功率設計中找到了用武之地。半導體研發(fā)工程師正在努力驗證和檢定新器件。驅動(dòng)器制造商正在研發(fā)新的電路驅動(dòng)器來(lái)滿(mǎn)足更快開(kāi)關(guān)速度、EMI 管理和更復雜拓撲網(wǎng)絡(luò )的要求。本次直播將為您解讀基于全新第三代寬禁帶半導體的電源設計的全新測試解決方案，半導體廠(chǎng)家如何標定這些器件的靜態(tài)參數，如何驗證它的動(dòng)態(tài)參數，如何優(yōu)化橋式電路設計及最終產(chǎn)品級別的評價(jià)。

演講嘉賓：泰克科技華東區業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理 黃正峰

黃正峰先生畢業(yè)于浙江大學(xué)信息工程專(zhuān)業(yè)，泰克資深技術(shù)專(zhuān)家，專(zhuān)攻功率電子領(lǐng)域新技術(shù)與方案。鉆研測試測量技術(shù)超過(guò)14載，對光伏、儲能、鋰電、微網(wǎng)、EV、物聯(lián)網(wǎng)、光通信等多個(gè)應用方向的電測技術(shù)進(jìn)行了深入的研究，對各行業(yè)中的電源測試有著(zhù)深刻的理解和豐富的經(jīng)驗。

碳化硅功率器件技術(shù)及可靠性探討

演講摘要：重點(diǎn)介紹SiC在設計和制造過(guò)程中需要重點(diǎn)關(guān)注的技術(shù)點(diǎn)，以確保交付給客戶(hù)高質(zhì)量的產(chǎn)品。

1）SiC器件的襯底和外延片的技術(shù)要點(diǎn)；

2） SiC芯片設計時(shí)可靠性驗證的方法；

3）芯片封裝和測試的技術(shù)要點(diǎn)。

演講嘉賓：基本半導體技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)總監 魏煒

魏煒先生畢業(yè)于華中科技大學(xué)，電力電子技術(shù)碩士。曾供職于艾默生網(wǎng)絡(luò )能源有限公司，之后加入國內知名代理商晶川電子，任技術(shù)支持總監。于2010年加入CONCEPT，被PI收購后任中國區IGBT驅動(dòng)器產(chǎn)品線(xiàn)技術(shù)總監。2019年加入基本半導體。